Технологии и инновации | Промышленность

С новой томской технологией полупроводниковые материалы получат нужные свойства

7 Сен '17
Химики Томского государственного университета разработали состав и технологию производства нанодисперсных металлоксидных полупроводниковых материалов. В процессе синтеза им задают необходимые свойства, например, способность поглощать или отражать ИК-излучение. Изобретение ученых может применяться в самых разных областях – для повышения КПД солнечных батарей, защиты космических аппаратов от перегрева, производства экранов смартфонов, планшетов и других гаджетов.

Новые материалы, созданные в Сибирском физико-техническом институте (СФТИ) ТГУ, – это сложные оксидные системы на основе индия и олова. Сообщается, что в процессе синтеза в их состав вводятся элементы, повышающие концентрацию свободных носителей заряда, что позволяет задавать материалу желаемые свойства.

Например, можно варьировать уровень поглощения и отражения электромагнитного излучения в заданном диапазоне длин волн. Селективные покрытия, выполненные на основе нанодисперсных полупроводниковых материалов, могут использоваться в самолето- и судостроении, космической и гелиотехнике для поддержания нужного теплового режима объекта и защиты его приборов от перегрева.

Наряду с этим технология синтеза дисперсных полупроводниковых материалов, разработанная в Томске, дает возможность наладить в России промышленный выпуск мишеней для магнетронного распыления. Ведущие мировые производители электроники используют их при производстве тонкопленочных прозрачных проводящих покрытий для экранов телевизоров, планшетов, смартфонов и т. д. Сейчас РФ закупает мишени у Японии и Кореи по высокой цене. Стоимость российских аналогов может быть существенно ниже.

«Для достижения однородной структуры мишени зарубежные производители смешивают оксиды, на протяжении пяти часов измельчают их во влажной среде с последующей сушкой, гранулированием для выделения фракции мелких частиц с диаметром от 0,1 до нескольких мкм. Полученную смесь подвергают предварительной формовке и прессованию с последующим спеканием при температурах от 1200 до 1500 градусов Цельсия в течение 10 часов», – приводятся слова Татьяны Малиновской, руководителя проекта. Ученые ТГУ используют для синтеза мелкодисперсной смеси оксидов золь-гель-метод и сразу получают наночастицы нужного размера. Это экономит время, силы и деньги, что снижает стоимость конечного продукта.

Заявлено, что отличительной чертой технологии полупроводниковых материалов, разработанной химиками СФТИ, является отсутствие токсичных побочных продуктов, поэтому в случае ее промышленного применения опасность выброса вредных веществ исключена. Опытная установка для синтеза, сконструированная учеными, позволяет уже сегодня в достаточном количестве производить нанодисперсные металлоксидные материалы с управляемыми характеристиками.
Опубликовать в Twitter
Написать в Facebook
Записать в LiveJournal
Показать В Моем Мире
Поделиться в Моем Круге
ПРОКОММЕНТИРОВАТЬ ЭТУ СТАТЬЮ
Найти похожее содержание

География: Томск

Теги: олово (8) / индий (4) / ТГУ (15) / полупроводниковые материалы (0) / Татьяна Малиновская (0) /

 

Обзоры в деталях

7 Сен '17
26 Июль '17
Ученые Томского политехнического университета...
20 Июнь '17
В краях, где многие жители центра страны ни разу еще...
Поиск (Архив новостей - 19264)
Реклама
Global_Entrepreneurship_Monitor
Реклама
Marchmont News

Последние новости

20 Окт '17
Российская компания «Инфектекс» готовит к выходу на...
19 Окт '17
В результате усилий россиян и корейцев создан метод,...
18 Окт '17
Ученые из новосибирского Института катализа им. Г. К....

Интересные новости за неделю

20 Окт '17
Российская компания «Инфектекс» готовит к выходу на...