Технологии и инновации | Промышленность

В Томске созданы полупроводниковые материалы с заданными свойствами

2 Нояб '16
Химики Томского государственного университета разработали состав и технологию производства нанодисперсных металлоксидных полупроводниковых материалов. В процессе синтеза им задают необходимые свойства, например, способность поглощать или отражать ИК-излучение. Изобретение ученых может применяться в самых разных областях – для повышения КПД солнечных батарей, защиты космических аппаратов от перегрева, производства экранов смартфонов, планшетов и других гаджетов.

Новые материалы, созданные в Сибирском физико-техническом институте (СФТИ) ТГУ, – это сложные оксидные системы на основе индия и олова, объяснила руководитель проекта Татьяна Малиновская. «В процессе синтеза в их состав вводятся элементы, повышающие концентрацию свободных носителей заряда, что позволяет задавать материалу желаемые свойства».

Например, можно варьировать уровень поглощения и отражения электромагнитного излучения в заданном диапазоне длин волн. Селективные покрытия, выполненные на основе нанодисперсных полупроводниковых материалов, могут использоваться в самолето- и судостроении, космической и гелиотехнике для поддержания нужного теплового режима объекта и защиты его приборов от перегрева.

Наряду с этим технология синтеза дисперсных полупроводниковых материалов, разработанная в Томске, дает возможность наладить в России промышленный выпуск мишеней для магнетронного распыления. Ведущие мировые производители электроники используют их при производстве тонкопленочных прозрачных проводящих покрытий для экранов телевизоров, планшетов, смартфонов и т. д. Сейчас РФ закупает мишени у Японии и Кореи по высокой цене. Стоимость российских аналогов может быть существенно ниже.

«Для достижения однородной структуры мишени зарубежные производители смешивают оксиды, на протяжении пяти часов измельчают их во влажной среде с последующей сушкой, гранулированием для выделения фракции мелких частиц с диаметром от 0,1 до нескольких мкм. Полученную смесь подвергают предварительной формовке и прессованию с последующим спеканием при температурах от 1200 до 1500 градусов Цельсия в течение 10 часов», – рассказывает Татьяна Малиновская, добавив, что ученые ТГУ используют для синтеза мелкодисперсной смеси оксидов золь-гель-метод и сразу получают наночастицы нужного размера. Это экономит время, силы и деньги, что снижает стоимость конечного продукта.

Заявлено, что отличительной чертой технологии полупроводниковых материалов, разработанной химиками СФТИ, является отсутствие токсичных побочных продуктов, поэтому в случае ее промышленного применения опасность выброса вредных веществ исключена. Опытная установка для синтеза, сконструированная учеными, позволяет уже сегодня в достаточном количестве производить нанодисперсные металлоксидные материалы с управляемыми характеристиками.
Опубликовать в Twitter
Написать в Facebook
Записать в LiveJournal
Показать В Моем Мире
Поделиться в Моем Круге
ПРОКОММЕНТИРОВАТЬ ЭТУ СТАТЬЮ
Найти похожее содержание

География: Томск

Теги: олово (8) / индий (4) / ТГУ (15) / полупроводниковые материалы (0) / Татьяна Малиновская (0) /

 

Обзоры в деталях

20 Июнь '17
В краях, где многие жители центра страны ни разу еще...
17 Май '17
Биологи и биофизики из России разработали миниатюрные...
Поиск (Архив новостей - 19215)
Реклама
RB_Partners_Venture_Report2016
Реклама
Why Russians do not smile
Реклама
Nano & Giga Symposium
Реклама
ННГУ

Последние новости

21 Июль '17
Японская финансово-промышленная группа Mitsui & Co...
20 Июль '17
Российским ученым удалось успешно завершить серию...
19 Июль '17
Ученые МИСиС разработали технологию производства...

Интересные новости за неделю

20 Июль '17
Российским ученым удалось успешно завершить серию...
21 Июль '17
Японская финансово-промышленная группа Mitsui & Co...
19 Июль '17
Ученые МИСиС разработали технологию производства...