Центр | Технологии и инновации

Ученые ищут пути создания энергонезависимой памяти

19 Окт '17
Совместными усилиями ученых из МФТИ и Кореи создан метод, который может помочь в создании перспективного типа энергонезависимой памяти.

Суть способа в управлении концентрацией кислорода в пленках оксида тантала, получаемых методом атомно-слоевого осаждения. Статья об открытии опубликована в англоязычном журнале ACS Applied Materials and Interfaces.

Одной из возможностей для создания новых способов хранения и обработки информации является память на основе резистивного переключения — ReRAM. Принцип ее работы заключается в изменении сопротивления ячейки памяти под действием приложенного напряжения. Таким образом, высокое и низкое сопротивления ячейки может быть использовано для хранения информации.

Функциональной основой ReRAM-ячейки является структура металл-диэлектрик-металл. В качестве диэлектрического слоя хорошо зарекомендовали себя оксиды переходных металлов. В этом случае напряжение, приложенное к ячейке, приводит к миграции кислорода, из-за чего изменяется сопротивление всей структуры. Таким образом, управление концентрацией кислорода в оксиде является важнейшим параметром, который определяет функциональные свойства ячеек памяти.

Однако, несмотря на заметные успехи в разработке ReRAM, позиции флэш-памяти довольно стабильны. Это происходит благодаря тому, что для производства флэш-памяти можно использовать трехмерные массивы ячеек. Это позволяет значительно увеличить плотность ячеек на чипе, в то время как методы создания пленок с дефицитом кислорода, используемые для ReRAM, не подходят для нанесения функциональных слоев на трехмерные структуры.

Чтобы обойти эти трудности, ученые из МФТИ применили метод атомно-слоевого осаждения (АСО или Atomic Layer Deposition — ALD — нанесение тонких пленок, которое происходит благодаря химическим реакциям на поверхности образца). Ключевой момент для АСО — это подбор реагирующих веществ.

Сообщалось, что эта задача была успешно решена за счет использования танталового прекурсора, уже содержащего кислород, а в качестве реактанта — активного водорода, генерируемого в удаленном плазменном разряде.
Опубликовать в Twitter
Написать в Facebook
Записать в LiveJournal
Показать В Моем Мире
Поделиться в Моем Круге
ПРОКОММЕНТИРОВАТЬ ЭТУ СТАТЬЮ
Найти похожее содержание

География: Москва

Теги: МФТИ (36) / энергонезависимая память (1) / оксид тантала (0) / атомно слоевое осаждение (0) / ReRAM (0) /

Последние новости: Центр
20 Нояб '17 | Технологии и инновации | Ритэйл
17 Нояб '17 | Технологии и инновации
15 Нояб '17 | Технологии и инновации | Финансы, бизнес
14 Нояб '17 | Финансы, бизнес | Транспорт, логистика
 

Обзоры в деталях

7 Сен '17
26 Июль '17
Ученые Томского политехнического университета...
20 Июнь '17
В краях, где многие жители центра страны ни разу еще...
Поиск (Архив новостей - 19280)
Реклама
Global_Entrepreneurship_Monitor
Реклама
Marchmont News

Последние новости

20 Нояб '17
В МГУ разработали косметический концентрат на основе...
17 Нояб '17
Российское правительство намерено с помощью нового...
16 Нояб '17
Свердловский венчурный фонд вложит 58,2 млн рублей в...

Интересные новости за неделю

20 Нояб '17
В МГУ разработали косметический концентрат на основе...